本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移的方法。本发明一种检测光刻机焦距偏移的方法，通过依靠监测实际量测图形与参考图形相似程度从而监测光刻机焦距的偏移，不仅能够及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况，还能不受量测干扰从而避免其带来的判断误差。