本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，第二金属层靠近第二半导体衬底，通过在缓冲层上开口，便可露出所述第二金属层，由此与现有技术的背照式CMOS影像传感器的制造方法相比，减少了露出所述第二金属层所需刻蚀的介质层厚度，也即减少了露出所述第二金属层所需的工艺时间，从而提高了机台产能，进而降低了制造成本。