一种用于氮化物肖特基二极管的端接结构，包括一个通过外延生长的P-型氮化物化合物半导体层构成的保护环，以及一个形成在保护环上的电介质场板。端接结构形成在肖特基二极管的阳极电极边缘处，以降低阳极电极边缘处的电场拥挤，尤其是当肖特基二极管反向偏置时。在一个实施例中，P-型外延层含有一个步阶凹陷，以进一步提高端接结构的场扩散效应。