本发明涉及具有突出源极和漏极区的集成电路及形成集成电路的方法。该等集成电路包含覆于上及横过以形成于半导体基板的沟渠为界的一个或多个鳍片的栅极结构。在栅极电极结构之间的沟渠中形成突出部于该一个或多个鳍片的暴露侧壁表面上。用绝缘材料填充在突出部、栅极结构之间的沟渠。