高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。