本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其中，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS区域和所述控制管区域的源极和漏极分别进行选择性刻蚀，去除掉所述源极和漏极的硅，在所述PMOS区域的源极和漏极形成第一凹进区，在所述控制管区域的源极和漏极形成第二凹进区；在所述第一凹进区和所述第二凹进区内分别淀积锗化硅。本发明在不增加现有工艺步骤的同时，降低了控制管器件的载流子迁移率，从而增大了控制管的等效电阻，进而在读取过程中，降低了节点的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。