本发明提出了一种用于高压半导体晶体管器件的端接结构。端接结构由至少两个端接区，以及在本体层和器件边缘之间的断路器构成。配置第一区域，用于扩散器件中的电场。配置第二区域，以便平滑地使电场退回到器件顶面。断路器防止器件的边缘短路。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。