本发明的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，第二导电类型基区内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区，在减小器件窗口的设计下，电极孔刻蚀时由于光刻机的精度原因，有时候电极不能和发射极的一边接触，导致器件一半失效，而本发明横向的第二单元发射区的设置则能实现在任何情况下电极和两边发射极都能接触，这样增加了器件的可靠性。