一种沟槽的形成方法，包括，提供半导体衬底；在衬底上形成介电层；在所述介电层上掩膜层，所述掩膜层内具有开口图形；采用第一气体处理开口图形的侧壁，使开口图形侧壁倾斜；以所述掩膜层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽。本发明还提供一种沟槽的形成方法，包括，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽后，采用第二气体处理沟槽侧壁，使沟槽侧壁倾斜。采用本发明的开口的形成的方法，提高集成电路的电学性能、稳定性和成品率。