本发明涉及半导体制造设备，其公开了一种用于离子束系统的间热式宽带束离子源，包括弧室、双间接加热式阴极、多通道气体入口装置、窗框型源磁铁、限制源磁铁下游的磁场分布范围的磁屏蔽装置、放置在所述弧室内部的内部电极以及给所述弧室、双间接加热式阴极、窗框源磁铁和放置在所述弧室内部的内部电极供电的电源。本发明的有益效果是：通过采用双间热式阴极，具有可调节局部磁场的源磁铁，具有可调节的多个电极，从而进一步达到调接弧室内的等离子体密度分布的目的。