本发明提出一种LED芯片的键合方法，包括如下步骤：提供一转移衬底和一异质衬底氮化物半导体结构，在所述转移衬底上生长第一金属层，在所述异质衬底氮化物半导体结构上生长第二金属层，其中，所述第一金属层、或所述第二金属层、或者所述第一金属层和所述第二金属层均形成有凹槽；所述的第一金属层和第二金属层通过键合方法形成第三金属层。本发明提出的一种LED芯片的键合方法，提高了LED芯片制造过程中的产品良率和改善散热效果。