本发明公开了一种全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用，属于半导体非挥发性存储器技术领域。本发明的阻变材料为宽禁带半导体透明氧化物锡酸钡（BaSnO₃）薄膜,所述阻变存储器由下电极、设于所述下电极上的阻变存储层和沉积于所述阻变存储层上的上电极组成；所述上电极和下电极为氧化铟锡透明导电薄膜、氟掺杂氧化铟透明导电薄膜；所述阻变存储层为锡酸钡（BaSnO₃）薄膜。本发明提供的透明有机阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。