本发明公开了一种耿氏二极管、其制备方法及功率合成毫米波振荡器，属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管由下至上依次包括集成热沉、金属电极、渡越层、第二接触层、顶电极和金加厚电极。该制备方法包括：在半导体衬底上依次生长第一接触层、渡越层及第二接触层，在样品表面腐蚀深槽，蒸发电极并电镀热沉，去除衬底，蒸发顶电极，干法刻蚀形成耿氏二极管。该毫米波振荡源将上述制备的一致性很好的耿氏二极管成对封于波导腔内的共振帽下、间隔λg/2前后排开。该方法减小了材料加工易碎性；改善了器件的散热性能；减少了器件性能差异。该毫米波振荡器是多个耿氏二极管耦合后射频输出，成倍增大输出功率。