具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，涉及半导体生产技术领域。先形成GaN外延片；然后在外延片的P-GaN层表面制备ITO薄膜层；再对薄膜层表面进行表面粗化；然后对GaN外延片的一侧进行ICP刻蚀，在P型台面上形成ITO透明电极；形成P电极和N电极；将半导体衬底减薄，然后划裂成单独芯片。本发明的特点是：在对ITO薄膜层表面进行表面粗化加工时，制作出纳米碗状粗化表面层，所述纳米碗状粗化表面层由相连的多个背面分别连接在P-GaN层上的碗形凹槽组成。本发明的纳米碗状粗化表面层中各碗形凹槽的尺寸和深度可控，这种碗状结构更有利于光提取。