本发明涉及一种提高互补金属氧化物半导体图像传感器。为提供一种提高时间延时积分型CMOS图像传感器动态范围的方法，能够同时满足对低光强条件和高光强条件下的成像要求，达到提高传感器动态范围的目的。本发明采取的技术方案是，宽动态范围时间延时积分型CMOS图像传感器，由像素阵列、模拟信号读出、模数转换与时序控制电路组成，其特征是，像素阵列具有多种类型的像素单元，同一行像素具有相同类型结构的像素单元，即不同类型的像素单元只可能出现在不同的行之间。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。