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> 技术详情
一种微激光二极管阵列的制备方法
编号:S000020728
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-08
浏览:
3256
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种微激光二极管阵列的制备方法,首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴(PF)、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体),然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结,将透明导电薄膜(如:氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(ZAO)等)镀在透明玻璃上,然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金(Au)电极,然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面,然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极,构成完整的器件。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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