您当前的位置:首页 > 供应列表 > 技术详情
一种微激光二极管阵列的制备方法
编号:S000020728 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:3256 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种微激光二极管阵列的制备方法,首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴(PF)、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体),然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结,将透明导电薄膜(如:氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(ZAO)等)镀在透明玻璃上,然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金(Au)电极,然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面,然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极,构成完整的器件。
分享到:
联系方式
在线QQ: 点击这里
机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
相似供应