本发明提供了一种浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法，在形成STI结构时，执行两步氧化物填充，且第一次氧化物填充时暴露部分浅沟槽顶端侧壁，并对该暴露的浅沟槽顶端侧壁执行氟离子掺杂，后续工艺形成STI结构后，由于产生凹陷，该掺有氟离子的浅沟槽顶端侧壁同样被暴露出来，且由于氟离子掺杂的影响在后续形成栅氧化层时，氧化物在掺杂有氟离子的半导体区域生长速率高于其他区域，因此对于凹陷区域处衬底表面的氧化层要厚于其他区域上生成的栅绝缘层，进而抑制了窄沟道效应，稳定了器件的阈值电压，提高了半导体器件的性能。