修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整复合物，其中修整复合物包含基质聚合物、具有氟取代基的自由酸和溶剂，修整复合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以导致在光刻胶图案的表面区域中的抗蚀剂基质聚合物的极性的改变；采用显影溶液接触光刻胶图案以去除光刻胶图案的表面区域。方法在半导体器件的制造中形成非常精细的光刻特征中有特别的应用。