鳍式场效应管及其形成方法，其中一种鳍式场效应管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部，所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面；所述鳍部顶部的晶面为(100)，所述鳍部侧壁的晶面为(110)，且对于p沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3:1，对于n沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3:1；横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。本发明实施例的鳍式场效应管的载流子迁移率高，器件性能好。