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> 技术详情
一种绝缘栅双极型晶体管
编号:S000020669
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-18
浏览:
2394
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P
+
体区(6)中引入带有受主能级的深能级杂质(12)。在室温下,P
+
体区(6)中引入的深能级杂质(12)只有少部分电离,对器件正向导通工作的影响可以忽略。当器件内有大电流流过时,器件产生热损耗增大,深能级杂质(12)的电离率会随着器件温度的升高而增大,提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度,降低了NPN管发射极注入效率γ,进而降低NPN管共基极放大系数α
NPN
,可避免因α
NPN
+α
PNP
≥1而使器件寄生的晶闸管开启,器件因失去栅控能力无法关断而最终烧毁的后果,最终达到增大器件的正向安全工作区,提高器件可靠性的目的。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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