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一种基于图形化锗衬底的三结太阳能电池及其制备方法
编号:S000030873 刷新日期: 有效日期至:2020-10-31 浏览:2262 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种基于图形化锗衬底的三结太阳能电池及其制备方法,属于半导体材料技术领域。先将图形化Ge衬底通过扩散形成Ge底电池;然后在衬底图形上直接生长大失配InxGa1-xAs中电池;最后生长与中电池晶格匹配的顶电池InyGa1-yP。采用上述结构的太阳能电池,从太阳光谱和带隙的角度看上,底电池、中电池和顶电池电流比较接近,光源利用率比一般带隙不匹配的三节电池高很多,能显著提高太阳能电池效率。同时从晶格常数匹配的角度看,采用图形化的衬底,解决了带隙匹配的材料晶格失配带来的材料生长难题。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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