本发明提供一种在半导体器件层上改善自对准硅化物阻挡层台阶效应的刻蚀方法，该自对准硅化物阻挡层为氧化硅型，包含预处理和主刻蚀两个过程，预处理过程包括：形成具有各向同性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向同性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部进行选择性刻蚀；主刻蚀过程包括：形成具有各向异性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向异性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部、侧壁和底部进行近似同步的等速率刻蚀。本发明的刻蚀方法，可以有效去除自对准硅化物阻挡层的台阶效应，实现自对准硅化物阻挡层的均匀覆盖，以降低后续制程去除自对准硅化物阻挡层的难度。