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> 技术详情
具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法
编号:S000020620
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-29
浏览:
3307
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提出了一种具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法,该肖特基势垒晶体管包括衬底及其上形成的栅堆叠,金属源极和金属漏极,在衬底与金属源极之间以及衬底与金属漏极之间的含碳绝缘层。本发明的肖特基势垒晶体管具有含碳绝缘层,该含碳绝缘层对费米能级钉扎现象具有减缓效果,能够有效降低肖特基接触势垒的高度。本发明的制备方法简单快捷,工艺稳定性高,制作成本低,制备的含碳绝缘层的厚度基本一致,能够有效阻挡金属自由态进入半导体,从而降低肖特基势垒高度。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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