本发明公开了一种条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，所述高掺杂源区和漏区分别位于控制栅的两侧，所述控制栅为栅长大于栅宽的条形结构，控制栅的一侧与高掺杂漏区连接，控制栅的另一侧向高掺杂源区横向延伸，位于控制栅下的区域为沟道区，该控制栅的栅宽小于2倍的源耗尽层宽度。采用条形栅结构调制了源端隧穿结，实现了等效于源结具有陡直掺杂浓度梯度的效果，提高了TFET器件的性能且制备方法简单。