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用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层
编号:S000020594 刷新日期: 有效日期至:2020-10-20 浏览:2064 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
公开了在凹槽的表面上形成并去除反应层以提供用于改善在该凹槽中形成的半导体材料的厚度均匀性的机构的方法。改善的厚度均匀性反过来又改善了器件性能的均匀性。本发明提供了用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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