高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate（1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、P型区P-body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的沟槽（6），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包括N层和P型区P-body（4）区域在内的第三层外延层（5）。与现有技术相比，能够有效降低漂移区（Drift？region）的电阻，降低VCE_sat，增加正向通电的效率10-30%等优点。