本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法。本发明提出一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，通过采用远程系统产生等离子体或臭氧发生器产生活性的O⁺进行灰化工艺，不仅可以达到同样去除无定形碳的效率，而且对硅片表面的离子损伤较小，从而提高了硅片的循环利用率。