用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
一种锗纳米管的制备方法
编号:S000020563
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-16
浏览:
2424
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 黑龙江
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种锗纳米管的制备方法,本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法无法制备出纳米管长度以及和壁厚形貌可控制的锗纳米管的技术问题。方法:一、制备工作电极;二、制备电解液;三、还原锗;四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法,实现了常温下制备半导体锗纳米管,离子液体可回收利用,工艺简单,操作方便,对环境友好,安全性高。本发明用于制备锗纳米管。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种提高Cu CMP效率的方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
绝缘膜用组合物及三维垂直孔的孔壁上形成绝缘膜的方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发