本发明公开了一种在半导体衬底上，制备双极晶体管、MOSFET、二极管等各种有源器件的方法，从而在工作电压较低的公共衬底上，形成工作电压较高的有源器件，并且引入制备工作电压较低的有源器件的现有的经过验证的工艺流程。本发明还提出了通过在现有器件初始制备工艺中增加一些步骤，一种工作电压高于同功能的现有器件的制备方法，不会大幅影响器件的性能。