本发明所述的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述金属氧化物薄膜晶体管包括基板，及沿远离所述基板方向依次设置的栅极、栅极绝缘层、金属半导体氧化物层、源极/漏极导电层、层间绝缘层，所述层间绝缘层填充源极导电层和漏极导电层间的空隙形成沟道层；在所述层间绝缘层上表面形成阳极导电层及导电的上栅极；所述上栅极完全覆盖所述沟道层，且其材料的光反射率大于85%。上述结构通过设置光发射率大于85%的上栅极，可有效遮挡外界光线，防止外界光线对晶体管的性能造成影响，使得晶体管的阈值电压维持稳定的状态；并且由于其采用导电材料可以作为栅极使用，从而形成双栅结构，双栅结构可以使得晶体管的载流子迁移速度得到有效提高。