本发明公开了一种高密度厚膜混合集成电路的集成方法，该方法是先用厚膜常规制作工艺制作含有厚膜导带、阻带及键合区的底座基片及小陶瓷基片，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以厚膜的方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区及底座基片相应的键合区形成金球；然后采用厚膜混合集成方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后将集成后的小基片垂直集成在底座基片上，完成高密度厚膜混合集成电路。本发明采用三维竖向垂直集成，将一个以上半导体芯片或片式元器件垂直集成在同一底座基片上，实现高密度三维集成，提高厚膜混合集成电路的集成度。