一种微纳多孔硅材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。此方法是为了解决以下问题：传统工艺制备而成的多孔硅表面形貌单一，在吸光、提高光电流增益、延伸光谱响应等特性上有待提高。本发明结合电化学腐蚀法与金属催化刻蚀法的优点，对电化学方法制备的多孔硅表面进行金属催化刻蚀法作进一步修饰，使它表面具有微纳结构,改善材料的光吸收率、反射率、霍尔效应、温度电阻变化系数等光电性能。使得半导体表面微结构化比传统半导体具有更大的应用价值，可用于基于多孔硅的光电探测器和太阳能电池，能有效提高器件效率及响应速度，且制备工艺简单、成本较低，对微结构材料应用于新型光电探测器的研究具有非常重要的意义。