一种金属互连结构的制作方法，包括：首先提供具有目标电连接区域的半导体衬底；然后在该半导体衬底上形成光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影后至少保留目标电连接区域上的光刻胶；接着在半导体衬底及保留的光刻胶上沉积低温氧化物层；再接着在低温氧化物层上形成高度大于保留的光刻胶与低温氧化物层的高度之和的第一介电层；随后去除部分高度的第一介电层及保留的光刻胶上的低温氧化物层至第一介电层的剩余高度与保留的光刻胶齐平；之后去除所述保留的光刻胶，以在所述第一介电层内形成沟槽；最终在该沟槽内填入导电材质并去除所述沟槽外的多余导电材质。采用本发明的制作方法形成金属互连结构的方法，会对芯片线宽的均匀性有很大的改善。