本发明公开了一种晶体管及其沟道长度的形成方法。其包括：衬底、形成在所述衬底上的耐高压半导体层、利用高压条件形成在所述耐高压半导体层中的非对称漂移区，非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度。非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度，使得比如在源端和漏端均形成漂移区，从而提高了器件的电学稳定性。另外，在形成非对称漂移区时已经定义好了器件的沟道长度，从而省去了额外对源端的外延栅氧部分进行刻蚀的光罩，从而简化了器件的制程，降低了生产成本。