本发明提供了一种高介电栅介质场效应透明薄膜晶体管及其制备方法。先在ITO衬底上通过磁控溅射生长高介电常数栅介质HfO₂和N型氧化物半导体材料ZnO，采用剥离工艺（Lift-off）形成栅极、源极和漏极的光刻胶图形，再通过磁控溅射生长金属电极Au或Al，并剥离出电极图形，最后对器件进行快速退火处理。与现有的硅基TFT技术相比，氧化物TFT具有低温操作、高迁移率、对可见光透明并且性能稳定等优点。与现有的氧化物TFT技术相比，该方法无需各种刻蚀工艺，将高介电常数栅介质、金属栅极和半导体材料整合到了透明薄膜晶体管中，简化了晶体管的制作流程。可用于有源矩阵液晶显示器件，打印机、复印机和摄像机等光电器件中。