本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明的硅基载体（2）的正面通过光刻、刻蚀的方法形成下凹的型腔（21），利用光刻、刻蚀的方法成形的硅孤岛（22）与型腔（21）的底部跨接，并与倒装在型腔（21）底部的LED芯片（1）粘接，散热用金属块（72）设置在硅孤岛（22）的下表面，呈岛结构的感光树脂层Ⅰ（61）覆盖在硅基载体（2）的下表面，再布线金属层（71）与电极Ⅰ（121）、电极Ⅱ（122）连接，将LED芯片信号引至硅基载体（2）的背面，同时大面积的再布线金属层（71）有助于封装体的散热。本发明采用非TSV结构，封装工艺难度低、封装成本低，并且提升了散热能力，适于便携式产品中应用。