本发明提供一种耗尽型功率场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在N++型半导体衬底表面形成N-型漂移区；形成包括磷掺杂层、硼掺杂层及锑掺杂层的N型耗尽层；制作栅极结构；制作P阱；制作与所述N型耗尽层相连的N+型源区；制作P+型接触区；制作介质层并形成电极制备区域；以及制作金属电极。本发明采用具有锑离子掺杂的三层结构的N型耗尽层，在不需要增加掩膜的情况下获得性能良好的N型耗尽层，可以有效降低功率场效应晶体管的阈值电压，有效降低晶体管的导通电阻，并能提高晶体管的关断速度。