本发明涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种适用于平面栅双极型晶体管的自对准绝缘栅双极型晶体管的制作方法，以所述窗口为掩膜，通过第一次倾斜注入实现窗口一侧431的第一导电类型掺杂区的制作。本专利提出一种无需光刻，并且可以任意控制N+发射区宽度的技术，并进而提出一套全自对准制作IGBT器件的方法。该方法相较传统工艺，由于光刻严格对准次数的减少，可以有效减小P型基区的宽度，增加栅极下方的少子浓度，提高电导调制效应，降低结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而减小IGBT的功耗，本发明的光刻严格对准次数的减少，有效减低制作成本，并降低了故障率。