本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管，包括管身和管口盖，管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区，管口盖保热性提高、管口管尾分别经流量控制计等流量排气使管内温度气压均匀，杂质源从内衬管壁上分布的弥漫孔弥漫而出、无阻挡进入恒温区使所有待掺杂芯片的整个表面同条件地接触到杂质源。使用本发明对大直径半导体芯片进行气体携带液态源掺杂，达到高的均匀性、重复性以保证大直径分立器件的电特性及特殊应用要求，同时显著提高生产成品率。