本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法。本发明提出一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法，通过采用高温氧化或高温炉管工艺形成的第一氧化物层和两层无定形碳形成的层叠结构，有助于提高后续无定形碳层和基底的附着，从而增大产品的良率，节约工艺成本，且工艺简单易操作。