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一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途
编号:S000020343 刷新日期: 有效日期至:2020-12-26 浏览:2430 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上,膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,抽真空后加热衬底,供给气源并增加功率,在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体,沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性,可以作为绝缘层、保护膜或光学膜,广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域,有助于微纳器件研究领域的商业化,有着明显的应用前景和潜在的经济效益。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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