一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离层；形成贯穿所述隔离层、且一端位于半导体衬底内的鳍部，所述鳍部表面高于隔离层表面；形成位于所述隔离层表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；形成位于所述栅极结构侧壁和鳍部侧壁的伪侧墙；形成位于所述伪侧墙表面、且包裹所述鳍部的外延层；在形成所述外延层后去除所述伪侧墙。本发明实施例形成的鳍式场效应管的性能好。