本发明提供一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：紫外激光光束照射到掺杂半导体材料表面产生激光退火效应，使得半导体材料由于掺杂引起的损伤得到修复，其修复程度的二维分布与激光束的光强分布有关。通过光载流子辐射技术测量掺杂半导体材料损伤修复情况的二维分布，经标定即可获得紫外激光光束的二维光强分布。本发明优点在于：本发明可以直接永久记录高功率紫外激光光束特性；本发明可以通过简单标定和数据处理即可获得高功率紫外激光光束特性。