本发明提供了一种分离栅快闪存储单元的制作方法，在字线氧化物形成前刻蚀半导体基底上多余的累积氧化层时，先对累积氧化层进行干法刻蚀后再进行湿法刻蚀，利用干法刻蚀的各向异性以及湿法刻蚀的各向同性的特性，在刻蚀去除半导体基底上的累积氧化层后，会使侧壁氧化层外表面上的刻蚀后剩余氧化层在靠近半导体基底的底端具有圆滑形貌，进而增加了浮栅这一侧字线氧化层的厚度，降低了BTBT在这一区域的发生机率，从而抑制了这一区域自由电子的产生，降低了这一机制相关的编程干扰问题。