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> 技术详情
制备准SOI源漏多栅器件的方法
编号:S000020265
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-01
浏览:
2560
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开一种制备准SOI源漏多栅器件的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域,所述方法依次包括如下步骤:在第一半导体衬底上形成Fin条形状的有源区;形成STI隔离层;淀积栅介质层和栅材料层,形成栅叠层结构;形成源漏延伸区的掺杂结构;形成凹陷源漏结构;形成准SOI源漏隔离层;原位掺杂外延第二半导体材料源漏,并进行退火激活;将假栅去掉,重新进行高k金属栅的淀积;形成接触和金属互联。该方法可有效降低泄漏电流,减小器件的功耗,具有较小的热预算,且工艺简单,能与传统CMOS工艺兼容,还能应用到除硅以外的半导体材料,有利于应有到大规模集成电路制造中。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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