本发明提供了一种非制冷红外探测器制备方法，包括：提供一包含读出电路的半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积金属反射层、绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、氮化硅介质层；刻蚀掉金属电极层上方的部分氮化硅保护层,露出金属电极，形成接触孔；在形成接触孔的半导体衬底上沉积热敏薄膜，对热敏薄膜进行图形化处理，然后沉积氮化硅钝化层，进行钝化层图形化和结构释放。本发明还提出了一种非制冷红外探测器结构，即在金属电极之上覆盖热敏薄膜，使非制冷红外探测器对红外的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。