一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干平行的环形牺牲栅极，所述环形牺牲栅极具有第一子牺牲栅极、和第一子牺牲栅极平行的第二子牺牲栅极、以及位于第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极两端的第三子牺牲栅极；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与环形牺牲栅极的顶部表面平齐；刻蚀部分所述第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极，在第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极中形成沿长度方向分布的若干分立的凹槽；在凹槽中填充满金属，形成若干分立的金属栅极。本发明金属栅极的形成方法，节省了工艺步骤，节约了成本。