一种用于图像传感器的改进的折射率光学栅格。在一个实施例中，一种背照式CIS器件包括：半导体衬底，具有像素阵列区，像素阵列区包括在半导体衬底的前侧表面上形成的多个光传感器，每个光传感器均在像素阵列区中形成像素；光学栅格材料，设置在半导体衬底的背侧表面上方，光学栅格材料被图案化以形成限定出像素阵列区中的每个像素并且在半导体衬底上方延伸的光学栅格，光学栅格具有侧壁和顶部；以及高反射率涂层，形成在光学栅格上方，包含金属纯度至少为99％的纯金属涂层、以及反射系数大于约2.0的纯金属涂层上方的高k电介质涂层。还公开了多种方法。本发明还提供了一种用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置。