一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法，该复合材料呈膜状，石墨烯与氮化硼层层交替，比表面积为200~800m²/g，半导体带隙为0.5～5.0eV。本发明还包括石墨烯/氮化硼层状复合材料的制备方法。本发明之石墨烯/氮化硼层状复合材料厚度均匀，比表面积高，呈半导体特性且带隙可调，特别适用于超级电容器、光催化、吸附、隐身等领域。