本发明公开了一种鳍型PIN二极管，所述PIN二极管具有衬底;N+掺杂层，其在衬底上形成；N-掺杂层，其在N+掺杂层上形成；绝缘层，其在N-掺杂层上形成；本征半导体层，其覆盖绝缘层的部分表面，并包围所述N-掺杂层；P-掺杂层，其覆盖绝缘层的部分表面并包围所述本征半导体层；P+掺杂层，其覆盖绝缘层的部分表面并包围所述P-掺杂层。